Анна Геннадьевна Масловская (ФГБОУ ВО "Амурский государственный университет") :
Статьи:
Павельчук А. В. (ФГБОУ ВО "Амурский государственный университет"), Масловская А. Г. (ФГБОУ ВО "Амурский государственный университет")
doi: 10.18698/2309-3684-2018-2-320
В статье представлены результаты разработки системы компьютерного моделирования, предназначенной для анализа характеристик процессов инжекции электронов при диагностике и модификации сегнетоэлектриков методами растровой электронной микроскопии. Дискретно-стохастическая модель электронных траекторий основана на физической модели однократных взаимодействий. Вычислительная схема реализации математической модели сконструирована с использованием концепции метода Монте-Карло. Предложено программное приложение, которое позволяет проводить оценку характеристик инжекционных эффектов электронных пучков в типичных сегнетоэлектриках. На основе данных вычислительных экспериментов представлены спецификация геометрических параметров области взаимодействия электронного пучка с мишенью и аналитическое выражение для распределения потерь энергии электронов. Установлены соотношения параметров модели, которые требуется учитывать для управления полевыми эффектами инжектированных зарядов в сегнетоэлектриках.
Павельчук А.В., Масловская А.Г. Численное стохастическое моделирование транспорта электронов в облученных сегнетоэлектрических материалах. Математическое моделирование и численные методы, 2018, № 2, с. 3–20.