Мария Андреевна Заплетина (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) :


Статьи:

519.6 Влияние точечных дефектов структуры клеточно-автоматного вычислителя на решение 2D скалярного волнового уравнения

Матюшкин И. В. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН), Заплетина М. А. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН)


doi: 10.18698/2309-3684-2017-3-319


Проанализировано влияние искусственно введенных локальных неоднородностей (дефектов) на динамику клеточно-автоматного решения скалярного волнового уравнения. Использована клеточно-автоматная схема, наследованная из конечно-разностной схемы Кранка — Николсон. Для оценки соотношения между возмущенным и невозмущенным решениями введена интегральная характеристика «энергии» поля клеточного автомата. Вычислительный эксперимент показал, что, несмотря на дрейф колебаний по фазе, средняя «энергия» и ее девиация сохраняются, и разрушения решения не происходит. Показано, что девиация «энер-
гии» пропорциональна суммарному расстоянию дефектов до центра симметрии.


Матюшкин И.В., Заплетина М.А. Влияние точечных дефектов структуры кле- точно-автоматного вычислителя на решение 2D скалярного волнового уравнения. Математическое моделирование и численные методы, 2017, No 3, с. 3–19.